MOSN3E 3nm工艺要缩水：没想到还是好事

现阶段，英特尔正在测试者3nm陶瓷，并且提供了数N3、N3E、N3B三个旧版。

其中旧版分界上N3是属于常规旧版，而N3E则是耐用性增强版，原计划是2024年量产，但根据现阶段的技术受到限制，N3E演变成了早先，规格减半。

据报，N3E陶瓷将使用非常少的EUV刻蚀层，从25层缩减到21层，投产高难度更加较高，良率也能更加高，成本纯净方才下降，但是电晶体密度不会比N3旧版较高大约8%，相较N5仍然不会高60%。

虽然陶瓷上有所减半，但良品率的提高和成本的下降对于消费级显卡耐用性供给的今天而言，也未尝不是一件好事。

据报该显卡原计划本月底完成设计，原计划2023年第二季度不会借助量产。

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